[发明专利]衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法有效
| 申请号： | 201711085518.X | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109326574B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 施佑霖;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种衬底结构包含介电层、第一电路层、至少一个导电结构和第一保护层。所述第一电路层邻近于所述介电层的第一表面。所述导电结构包含第一部分和第二部分。所述第一部分位在所述第一电路层上。所述第一保护层位在所述介电层上且接触所述导电结构的所述第一部分的侧壁的至少一部分。所述第一电路层与所述导电结构一体地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 包含 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底结构，其包括：介电层；第一电路层，其邻近于所述介电层的第一表面；至少一个导电结构，其包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分位在所述第一电路层上；以及第一保护层，其位在所述介电层上且接触所述导电结构的所述第一部分的侧壁的至少一部分，其中所述第一电路层与所述导电结构一体地形成。
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