[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711089453.6 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183097B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 金智熏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：在衬底上的多个下电极，所述多个下电极在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上以形成行和列；具有平板形式的支撑结构，支撑结构连接并支撑所述多个下电极，支撑结构包括限定在其中的多个敞开区域，包括成交替方式的两种不同形状的支撑结构可以被提供。所述多个敞开区域可以具有相同的形状并部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：成蜂巢结构的多个下电极；以及连接并支撑所述多个下电极的支撑结构，所述支撑结构包括多个敞开区域，所述多个下电极由所述多个敞开区域暴露，其中成所述蜂巢结构的所述多个下电极被布置为使得在六边形的中心点处的一个下电极和在所述六边形的顶点处并与所述一个下电极相邻的六个下电极构成第一六边形结构，在所述第一六边形结构的所述顶点处的所述六个下电极用作在六个其它六边形结构的中心点处的下电极，在所述第一六边形结构的所述中心点处的所述一个下电极用作在六个其它六边形结构的每个的六个顶点中的一个处的下电极，以及其中所述多个敞开区域暴露在所述第一六边形结构的所述中心点处的所述一个下电极的三个侧面区域、以及在所述第一六边形结构的所述顶点处的所述六个下电极的两个侧面区域。
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