[发明专利]一种全耗尽SOI结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种全耗尽SOI结构的制作方法，主要包括步骤：形成半导体材料层，并对半导体材料层进行图形化；在半导体材料层的顶面和两侧面上形成沟道材料层；去除图形化后的半导体材料层；形成氧化层，使氧化层覆盖埋氧层的顶面、沟道材料层的顶面和两侧面；减薄氧化层，形成浅沟槽隔离结构；继续完成剩余工艺，以形成全耗尽SOI结构。该制作方法改进了FD‑SOI的制备工艺，降低了生产成本，并且使得包含该全耗尽SOI结构的半导体器件能够更好地发挥出性能优势，并显著地节省功耗；因此，所述全耗尽SOI结构的制作方法及依据该制作方法制得的产品均具有广阔的应用前景与良好的市场潜力。

主权项

一种全耗尽SOI结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底的顶面设置有一埋氧层；在所述埋氧层的顶面上形成一半导体材料层，并对所述半导体材料层进行图形化；S2：在图形化后的半导体材料层的顶面和两侧面上形成一沟道材料层；S3：去除所述图形化后的半导体材料层；S4：形成一氧化层，使所述氧化层覆盖所述埋氧层的顶面、所述沟道材料层的顶面和两侧面；S5：减薄所述氧化层，以使减薄后的所述氧化层的顶面与所述沟道材料层的顶面齐平，从而使所述沟道材料层两侧的所述氧化层形成浅沟槽隔离结构；S6：继续完成剩余的栅极制备工艺、源漏极制备工艺，以进一步形成全耗尽SOI结构。