[发明专利]具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711098619.0 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108074995B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | R·鲁普;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0745;H01L31/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 半导体 晶片 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体晶片的方法，包括：切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片；直接在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上形成钝化层；以及在所述后侧表面上由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
