[发明专利]一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法有效
| 申请号： | 201711100020.6 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107799405B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 汪悦;张月雨;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，包括下列步骤：在OPC程序中对原始设计版图进行基于规则的OPC修正处理；选出离子注入层光刻胶覆盖区域尺寸小于第一设定尺寸的边，根据该边到离子注入层光刻胶打开区域距离为第二设定尺寸的区域为OPC待优化区域；当所述OPC待优化区域前层为浅沟槽隔离区域，则该边往离子注入层打开区域移动；当所述OPC待优化区域有多晶硅层，则在离该边一定阈值内的多晶硅层图形上添加辅助图形。本发明提出一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，以减少前层反射对离子注入层光阻的影响，降低离子注入层光阻受前层反射而收缩甚至剥落的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 离子 注入 层抗前层 反射 opc 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种提高离子注入层抗前层反射的OPC修正方法，其特征在于，包括下列步骤：在OPC程序中对原始设计版图进行基于规则的OPC修正处理；选出离子注入层光刻胶覆盖区域尺寸小于第一设定尺寸的边，根据该边到离子注入层光刻胶打开区域距离为第二设定尺寸的区域为OPC待优化区域；当所述OPC待优化区域前层为浅沟槽隔离区域，则该边往离子注入层打开区域移动；当所述OPC待优化区域有多晶硅层，则在离该边一定阈值内的多晶硅层图形上添加辅助图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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