[发明专利]用于磷化铟晶片的下盘方法在审
| 申请号： | 201711104612.5 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107910246A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵有文;王俊;董志远;刘京明 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 张超艳,李琳 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于磷化铟晶片的下盘方法，用于取下抛光后固定在陶瓷盘上的磷化铟晶片，包括在加热槽中倒入除蜡剂，加热至蜡熔点温度，保持温度恒定；将抛光后固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘放入上述已经经过加热的除蜡剂中，恒温加热第一设定时间；将磷化铟晶片从除蜡剂中取出，放置于盛有有机溶剂或除蜡剂的容器，待进一步对晶片进行化学清洗。上述下盘方法下盘同时起到对晶片和陶瓷盘去蜡清洗的作用，简化了后续对晶片和陶瓷盘的去蜡步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磷化 晶片 下盘 方法 | ||
【主权项】：
一种用于磷化铟晶片的下盘方法，用于取下抛光后固定在陶瓷盘上的磷化铟晶片，其特征在于，包括：在加热槽中倒入除蜡剂，加热至蜡熔点温度，保持温度恒定；将抛光后固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘放入上述已经经过加热的除蜡剂中，恒温加热第一设定时间；将磷化铟晶片从除蜡剂中取出，放置于盛有有机溶剂或除蜡剂的容器，待进一步对晶片进行化学清洗。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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