[发明专利]存储器模块、包括其的存储系统及其错误校正方法有效
| 申请号： | 201711114093.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108376554B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 朴钟现;李圣恩;具滋现;郑承奎 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李琳;王建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储系统的错误校正方法可以包括：从多个存储器芯片中读取读取数据和错误校正码；使用错误校正码来校正读取数据的错误；当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；将特定输入测试模式写入多个存储器芯片中，读取写入多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复的故障芯片；基于检测到的故障芯片的位置，使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误；并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入多个存储器芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 模块 包括 存储系统 及其 错误 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储系统的错误校正方法，包括：从多个存储器芯片中读取读取数据和错误校正码；使用错误校正码来校正读取数据的错误；当错误的校正失败时，将读取数据和错误校正码暂时储存在缓冲器中；将特定输入测试模式写入所述多个存储器芯片中，读取写入所述多个存储器芯片中的输出测试模式，并且检测发生芯片修复的故障芯片；基于检测到的故障芯片的位置而使用储存在缓冲器中的错误校正码来重新校正储存在缓冲器中的读取数据的错误；并且将错误已校正的读取数据和错误校正码重新写入所述多个存储器芯片中。
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