[发明专利]片材、带材和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711114552.5 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108084912A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;木村龙一;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C09J7/24;C09J151/00;C09J11/06;C08F265/06;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供一种扩张时的分割精度优异的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的膜。在本公开的片材中，粘合剂层的厚度为2μm～10μm，膜的厚度为5μm～20μm。 | ||
| 搜索关键词： | 片材 粘合剂层 半导体装置 基材层 切割膜 带材 制造 分割 | ||
【主权项】：
1.一种片材，其包含：包含基材层和位于所述基材层上的粘合剂层的切割膜、和位于所述粘合剂层上的膜，其中，所述粘合剂层的厚度为2μm～10μm，所述膜的厚度为5μm～20μm，并且所述片材为用于在半导体装置的制造方法中使用的片材，所述半导体装置的制造方法包含：在所述片材的所述膜上固定具有改性区域的半导体晶片的工序；和通过扩张所述切割膜而以所述改性区域为起点将所述半导体晶片分割的工序。
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