[发明专利]一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法在审

专利信息
申请号: 201711115897.2 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107720759A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基;董海涛;蔡延国;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;C01B3/50;C01B7/07
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 王献茹
地址: 810007 青海*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明涉及电子材料生产技术领域,公开了一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法。光纤级四氯化硅的制备方法包括从还原尾气中分离出氯硅烷混合液、从氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅以及对初级四氯化硅进行提纯。其最大限度地利用中间产物,极大地降低生产体系对外界的依赖程度,成本较低。多晶硅生产中还原尾气的处理方法包括利用上述的光纤级四氯化硅的制备方法对多晶硅生产中还原尾气进行处理,并将前两次分离步骤所得的氢气、氯化氢、二氯二氢硅及三氯氢硅作为多晶硅生产的原料进行贮存,较大的利用中间产物,生产的三废排放量显著减小,利用中间产物生产出光纤级四氯化硅,创造了较大的经济效益。
搜索关键词: 一种 光纤 氯化 制备 方法 多晶 生产 还原 尾气 处理
【主权项】:
一种光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,所述光纤级四氯化硅的制备方法使用多晶硅生产中的还原尾气作为原料,其制备方法包括:第一次分离:从所述还原尾气中分离出氯硅烷混合液;第二次分离:从所述氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅;以及提纯步骤:包括通过精馏去除所述初级四氯化硅中的微硅粉、氢气,所述提纯步骤还包括通过光氯化反应去除所述初级四氯化硅中的氯硅烷杂质。
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