[发明专利]一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法有效
| 申请号： | 201711115938.8 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107797392B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法，包括掩膜版承载台，所述掩膜版承载台设置于光刻机内，所述掩膜版承载台上置有掩膜版；气帘产生装置沿左右方向设置，并且气帘产生装置位于掩膜版承载台的上方；气帘产生装置用于产生气帘；气束产生装置设置于左右方向的一侧，并且气束产生装置位于掩膜版承载台的上方；气束产生装置用于产生气束；颗粒检测装置设置于掩膜版承载台的上方，用于对掩膜版的上表面进行颗粒检测。本发明通过使用倾斜气束将已经落入到掩膜版上的颗粒去除，节约了时间，又提高了颗粒去除的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 紫外 光刻 工艺 中掩膜版 颗粒 污染 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置，其特征在于，包括：掩膜版承载台，所述掩膜版承载台设置于光刻机内，所述掩膜版承载台上置有掩膜版；气帘产生装置，所述气帘产生装置沿左右方向设置，并且所述气帘产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气帘产生装置用于产生气帘；气束产生装置，所述气束产生装置设置于左右方向的一侧，并且所述气束产生装置位于所述掩膜版承载台的上方；所述气束产生装置用于产生气束；颗粒检测装置，所述颗粒检测装置设置于所述掩膜版承载台的上方，用于对所述掩膜版的上表面进行颗粒检测。
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