[发明专利]非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种非对称鳍内存晶体管及其形成方法、半导体器件。在本发明提供的非对称鳍内存晶体管及其形成方法中，字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同。因此本发明中可以降低制程难度，此外，利用长度不同的字线诱发单边电场，相比长度相同的字线诱发的双边电场强度低，可有效改善漏电流。

主权项

1.一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区，多个所述有源区排布成多排；以及，多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流，每条所述字线穿过多排有源区、相邻排所述有源区之间的所述隔离结构以及在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述隔离结构；其中，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b，且|a‑b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者，当a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm，当a

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711116015.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。