[发明专利]一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法在审
| 申请号： | 201711117059.9 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107887372A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘功伟 | 申请（专利权）人： | 北海威德电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 靳浩 |
| 地址： | 536000 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法，包括将制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定于第二基板，其中第一基板垒晶层制备包括经切割后形成于第一基板上的P‑N外延层；形成于P‑N外延层上多层独立的铟锡金属氧化物层；在P‑N外延层上的多层独立的铟锡金属氧化物层上横向排列一层图形化蚀刻掩膜；在多层独立的铟锡金属氧化物层上通过蚀刻P‑N外延层形成多个P‑N外延结构，多个P‑N外延结构之间暴露的侧边由绝缘层覆盖。解决大型电子显示器中的运用涉及单个LED芯片之间的布线问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 大型 显示器 联合 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于大型显示器的联合型LED的制备方法，其特征在于，包括：将制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定于第二基板；其中第一基板垒晶层制备包括：经切割后形成于第一基板上的P‑N外延层；在P‑N外延层上制备多层独立的铟锡金属氧化物层；在P‑N外延层上的多层独立的铟锡金属氧化物层上横向排列一层图形化蚀刻掩膜；在多层独立的铟锡金属氧化物层上通过蚀刻P‑N外延层形成多个P‑N外延结构，多个P‑N外延结构之间暴露的侧边覆盖上绝缘层。
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