[发明专利]气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理装置有效
| 申请号： | 201711120632.1 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108070846B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 | 申请（专利权）人： | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 11410 北京市中伦律师事务所 | 代理人： | 李波;但提提 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有改进的膜处理均匀性的基板处理装置。基板处理装置包括配置成提供气体供应通道的分隔件和连接到气体供应通道的气体供应单元。与气体供应通道连通的气流通道形成在气体供应单元中。第一通孔形成为穿过分隔件的至少一部分。第二通孔形成为穿过气体供应单元的至少一部分。第一通孔经由第二通孔与气流通道连通。第二通孔布置在气流通道的中心和边缘之间，并且布置成与边缘间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供应单元 通孔 基板处理装置 气体供应通道 气流通道 分隔件 连通 穿过 边缘间隔 均匀性 膜处理 配置 改进 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，包括：/n分隔件，所述分隔件配置成提供气体供应通道；以及/n气体供应单元，所述气体供应单元连接到所述气体供应通道，/n其中，在所述气体供应单元中形成与所述气体供应通道连通的气流通道，/n其中，第一通孔形成为穿过所述分隔件的至少一部分，第二通孔形成为穿过所述气体供应单元的至少一部分，并且所述第一通孔经由所述第二通孔与所述气流通道连通，/n其中，所述第二通孔布置在所述气流通道的中心和边缘之间，并且布置为与所述边缘间隔开。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
