[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

摘要

本发明提供了一种阵列基板，包括玻璃基板、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极、漏极、平坦层、公共电极、钝化层、像素电极。本发明还提供了一种阵列基板的制作方法以及显示面板。与现有技术相比，采用能够降低寄生电容的顶栅自对准结构，使源漏极与栅极之间重叠部分变小，从而在减少存储电容器所占用的面积的前提下，提高开口率以及存储电容大小；且减小了薄膜晶体管器件的寄生电容进而降低RC时延，提高薄膜晶体管器件的响应速度。

主权项

一种阵列基板，其特征在于：包括基板(1)、缓冲层(2)、半导体层(3)、栅极绝缘层(4)、栅极(5)、层间绝缘层(6)、源极(7)、漏极(8)、平坦层(9)、公共电极(10)、钝化层(11)、像素电极(12)；其中，缓冲层(2)形成于基板(1)上；半导体层(3)形成于缓冲层(2)上；所述半导体层(3)包括有源区域(31)和设于有源区域(31)两侧的源极区域(32)、漏极区域(33)，所述栅极绝缘层(4)和栅极(5)依次形成于有源区域(31)上；所述层间绝缘层(6)形成于未被半导体层(3)遮挡的缓冲层(2)、源极区域(32)以及漏极区域(33)上；所述层间绝缘层(6)上对应源极区域(32)、漏极区域(33)处形成有第一过孔(61)；所述源极(7)和漏极(8)分别经第一过孔(61)与源极区域(32)、漏极区域(33)接触；所述平坦层(9)形成于源极(7)、漏极(8)以及未被源极(7)、漏极(9)遮挡的层间绝缘层(6)上；所述公共电极(10)形成于平坦层(9)上，钝化层(11)形成于公共电极(10)以及未被公共电极(10)遮挡的平坦层(9)上，所述钝化层(11)以及平坦层(9)上对应漏极(8)上形成有第二过孔(111)、第三过孔(91)；所述像素电极(12)形成于钝化层(11)上并经第二过孔(111)、第三过孔(91)与漏极(8)接触。