[发明专利]一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法

摘要

本发明提供了一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，通过在存储区域形成控制栅极和在逻辑区域刻蚀多晶硅的工艺流程顺序设置，借用已有的工艺条件，进行各项优化并结合后续的制程条件，消除由于无定型碳膜APF的填充不良带来的剥离问题。

主权项

一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆包括形成半导体器件的衬底，所述衬底划分为第一器件区域和第二器件区域，所述第一器件区域和所述第二器件区域的表面为一多晶硅层包括以下步骤：步骤S1、于所述多晶硅层表面涂覆一硬掩膜层；步骤S2、去除所述第一器件区域表面的所述硬掩膜层，暴露所述多晶硅层；步骤S3、于所述多晶硅层和所述硬掩膜层表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于所述第一器件区域预定位置形成工艺窗口；步骤S4、通过所述第一掩膜层对所述第一器件区域进行刻蚀，停留于所述衬底表面，形成第一器件区域控制栅极；步骤S5、去除所述第一掩膜层，于所述硬掩膜层及所述第一区域表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于所述第二器件区域预定位置形成工艺窗口；步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述第二器件区域进行刻蚀，停留于所述衬底表面，形成所述第二区域栅极；随后，去除所述第二掩膜层。