[发明专利]堆叠状的肖特基二极管

摘要

堆叠状的肖特基二极管，具有带上侧和下侧的堆叠(堆叠包括至少三个半导体层)、与堆叠的下侧材料锁合地连接的第一连接接通层、与堆叠的上侧连接的第二连接接通层，第二连接接通层构造为肖特基接通部并且布置在上侧的部分区域中并且由棱边限界，在堆叠的下侧处布置有构造为n+层的第一半导体层，第一半导体层包括GaAs化合物，在第一半导体层上布置有构造为n‑层的第二半导体层，第二半导体层包括GaAs化合物，在第二半导体层上布置有构造为p‑层的第三半导体层，第三半导体层包括GaAs化合物，堆叠具有多个分别互相间隔开的p+区域，p+区域构造为与堆叠的上侧平行延伸的肋，p+区域从堆叠的上侧延伸到第二半导体层中。

主权项

1.一种堆叠状的肖特基二极管(10)，其具有：具有上侧(32)和下侧(34)的堆叠(30)，其中，所述堆叠(30)包括至少三个半导体层(20，22，24)，与所述堆叠(30)的下侧(32)材料锁合地连接的第一连接接通层(40)，以及与所述堆叠(30)的上侧连接的第二连接接通层(50)，其中，所述第二连接接通层(50)包括金属或金属化合物或者由金属或金属化合物构成，并且形成肖特基接通部，其中，所述第二连接接通层(50)布置在所述上侧(34)的部分区域中并且所述第二连接接通层(50)由棱边限界，在所述堆叠的下侧处布置有构造为n+层的第一半导体层(20)，并且所述第一半导体层(20)具有至少1019N/cm3的掺杂剂浓度以及50微米至400微米之间的层厚度，并且所述第一半导体层(20)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；在所述第一半导体层(20)上布置有构造为n-层的第二半导体层(22)，并且所述第二半导体层(22)具有1012至1016N/cm3之间的掺杂剂浓度以及10微米至300微米之间的层厚度，并且所述第二半导体层(22)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；其特征在于，在所述第二半导体层(22)上布置有构造为p-层的第三半导体层(24)，并且所述第三半导体层(24)具有1012至1016N/cm3之间的掺杂剂浓度以及10纳米至10微米之间的层厚度，并且所述第三半导体层(24)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；所述堆叠(30)具有多个分别互相间隔开的p+区域(60，62；60.1-60.7)，并且所述p+区域(60，62；60.1-60.7)构造为与所述堆叠(30)的上侧(32)平行延伸的肋；所述p+区域(60，62；60.1-60.7)具有5*1018至5*1020N/cm3的掺杂剂浓度，并且所述p+区域(60，62；60.1-60.7)从所述堆叠(30)的上侧(32)延伸到所述第二半导体层(22)中；所述第二连接接通层(50)的所有棱边在p+区域(60，60.1-60.7，62)内延伸。