[发明专利]一种改善的套刻精度量测方法有效
| 申请号： | 201711125009.5 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107797393B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 朱晓斌;孙飞磊;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善的套刻精度量测方法，应用于优化套刻精度的测量，其中，包括一包含当层图形的内框和一包含前层图形的外框，具体步骤如下：对所述内框内的所述当层图形添加套刻精度偏差；对所述内框中的第一边框距离所述外框的最短距离及所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的最短距离进行量测；通过对所述量测得到的值进行处理，排除机台误差，得到正确的套刻精度数据。有益效果：本专利通过改善现有的套刻精度量测图形，从当层图形与前层图形没有套刻精度偏差，改为人为添加套刻精度的偏差，一次量测后通过计算方法消除机台误差的影响，解决IBO方法量测套刻精度时产生机台误差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种改善的套刻精度量测方法，应用于优化套刻精度的测量，其特征在于，包括一包含当层图形的内框和一包含前层图形的外框，具体步骤如下：步骤S1、对所述内框内的所述当层图形添加套刻精度偏差；步骤S2、对所述内框中的第一边框距离所述外框的最短距离及所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的最短距离进行量测；步骤S3、通过对所述量测得到的值进行处理，排除机台误差，得到正确的套刻精度数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711125009.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
