[发明专利]闪存单元的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元的制备方法，包括在衬底上依次形成浮栅多晶硅层和第一介质层；刻蚀所述第二介质层和部分厚度的浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口；在所述第一开口和所述第二开口形成第一控制栅和第二控制栅；去除所述第一开口和第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；在所述第三开口内形成字线栅。与现有技术相比，本发明提供的闪存单元的制备方法可以同时形成第一开口和第二开口，然后在开口内同时形成第一控制栅和第二控制栅，工艺简单、步骤较少，然后再形成第三开口和字线栅，需要形成的介质层较少，也降低了闪存单元的制备时间和成本。

主权项

一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅多晶硅层和第一介质层；刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口；在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅；刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；在所述第三开口中形成字线栅。