[发明专利]一种芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201711135454.X | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107910410B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片的制作方法中，采用与目标外延层晶格匹配的过渡衬底，通过外延工艺可以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的过渡外延层。由于所述过渡外延层为整面晶体结构，故可以通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在非晶格匹配的目标衬底上形成单晶结构的所述目标外延层。由于所述目标外延层为通过外延工艺形成的单晶结构，其厚度精度较好，且与所述目标衬底的生长应力较小，无需再压合新的衬底，以进行衬底转移，克服了现有技术中外延层的生长厚度的精度较差、压合应力以及生长应力较大的问题，提高了LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：通过外延工艺，在过渡衬底上形成过渡外延层，所述过渡衬底与目标外延层晶格匹配，以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的所述过渡外延层；通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在目标衬底上形成所述芯片的目标外延层，所述目标外延层为单晶结构。
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