[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 201711137421.9 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108231665B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吴家扬;张简旭珂;张耿铨;苏丁香 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法，包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的一部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：蚀刻一层间介电以形成暴露一源极/漏极的一部分的一接触开口；将一含钛材料沉积进该接触开口中，其中沉积该含钛材料的一能量足以导致该源极/漏极的一材料沿该层间介电的侧壁的再沉积以形成自该源极/漏极的一顶表面延伸的突出；以及退火该半导体装置以在该源极/漏极中及在所述突出中形成一硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
