[发明专利]带隙基准电压产生装置有效
申请号: | 201711138757.7 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107870648B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 徐子轩;李博;刘海南;罗家俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565;G05F1/567 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种带隙基准电压产生装置,属于集成电路领域。该带隙基准电压产生装置包括主体电路、第一补偿电路和第二补偿电路。其中,主体电路用于产生带隙基准电压。在非辐射条件下,第一补偿电路的第一电流补偿端的电压等于第一电压,第二补偿电路的第二电流补偿端的电压等于第二电压。在辐射条件下,第一补偿电路用于为主体电路中运算放大器的反相输入端提供第一补偿电流,使得反相输入端的电压与辐照前保持一致;第二补偿电路用于为运算放大器的同相输入端提供第二补偿电流,使得同相输入端的电压与辐照前保持一致。本发明提供的带隙基准电压产生装置有效地提高了带隙基准的抗辐射性能。 | ||
搜索关键词: | 基准 电压 产生 装置 | ||
【主权项】:
1.一种带隙基准电压产生装置,其特征在于,包括:主体电路,包括运算放大器、第一晶体管和第二晶体管,所述运算放大器的反相输入端与所述第一晶体管的发射极耦合,所述运算放大器的同相输入端与所述第二晶体管的发射极耦合,所述主体电路用于产生带隙基准电压;第一补偿电路,所述第一补偿电路的第一电流补偿端与所述反相输入端耦合,在非辐射条件下,所述第一电流补偿端的电压等于第一电压,在辐射条件下,所述第一补偿电路用于为所述反相输入端提供第一补偿电流,所述第一补偿电流等于所述第一晶体管在该辐射下的漏电流增加量;第二补偿电路,所述第二补偿电路的第二电流补偿端与所述同相输入端耦合,在非辐射条件下,所述第二电流补偿端的电压等于第二电压,在辐射条件下,所述第二补偿电路用于为所述同相输入端提供第二补偿电流,所述第二补偿电流等于所述第二晶体管在该辐射下的漏电流增加量;其中,所述第一电压为非辐射条件下独立的所述主体电路中所述反相输入端的电压,所述第二电压为非辐射条件下独立的所述主体电路中所述同相输入端的电压。
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