[发明专利]三维存储器位线电容的测试方法在审
| 申请号： | 201711140468.0 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107993949A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 宋王琴;张顺勇;汤光敏;卢勤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器位线电容的测试方法，属于半导体技术领域。所述方法包括提供三维存储器样品；刻蚀三维存储器样品背面的衬底至剩余预设厚度的衬底；研磨预设厚度的衬底至呈现钨栓塞层；分析并确定目标位线在钨栓塞层中对应的钨栓塞；在确定的钨栓塞处测量目标位线的电容。本发明中的方法，通过从三维存储器的背面开始处理，即刻蚀背面的衬底并研磨至钨栓塞层，并对三维存储器的结构进行分析，从而在钨栓塞层找到目标位线对应的钨栓塞，进而使用纳米点针台在找到的钨栓塞处对目标位线的电容进行测量，其不仅确保了钨栓塞层不会受到损坏，而且实现了基于纳米点针台对三维存储器位线电容的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 电容 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种三维存储器位线电容的测试方法，其特征在于，包括：提供三维存储器样品；刻蚀所述三维存储器样品背面的衬底至剩余预设厚度的衬底；研磨所述预设厚度的衬底至呈现钨栓塞层；分析并确定目标位线在所述钨栓塞层中对应的钨栓塞；在确定的钨栓塞处测量所述目标位线的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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