[发明专利]一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201711140573.4 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108107059B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构，应用于半导体检测阶段，包括一半导体衬底，半导体衬底包括有源区，在有源区上间隔形成多个多晶硅图形，多个多晶硅图形之间设有空隙区域；接触孔，接触孔形成于多晶硅图形之间的空隙区域，接触孔填充钨栓，以形成接触孔钨栓结构。本发明的技术方案有益效果在于：公开一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法，有效地监控接触孔底部的钨栓缺陷问题，改善半导体工艺在制作过程中的良率，缩短半导体工艺制作的研发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 底部 缺陷 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构，应用于半导体检测阶段，其特征在于，包括一半导体衬底，所述半导体衬底包括：有源区，在所述有源区上间隔形成多个多晶硅图形，多个所述多晶硅图形之间设有空隙区域；接触孔，所述接触孔形成于所述多晶硅图形之间的空隙区域，所述接触孔填充钨栓，以形成接触孔钨栓结构。
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