[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
| 申请号： | 201711142504.7 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108074844B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 大野广基;江头佳祐;五师源太郎;川渕洋介;北山将太郎;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板；供给线，其将送出处于超临界状态的处理流体的流体供给源和所述处理容器连接；排出线，其从所述处理容器排出处理流体；排出流量调节部，其调节从所述处理容器向所述排出线排出的处理流体的流量；以及控制部，其控制所述排出流量调节部的动作，其中，所述控制部在将所述处理容器内的压力从比处理流体的临界压力低的压力升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边通过控制所述排出流量调节部来使处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器向所述排出线排出，一边使所述流体供给源经由所述供给线向所述处理容器供给处理流体，由此进行升压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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