[发明专利]一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。通过Ag掺杂可以改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子、光电转换效率以及有效改善带尾态现象，实验的可重复性和稳定性较好，在太阳电池方面有较好的应用价值。

主权项

1.一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)配置不同Ag含量的CZTSSe前驱体溶液，Cu+Ag的总浓度保持在0.2mol/L，将单质铜、锌、锡、硫、硒、银按照一定的比例加入有机溶剂中，加热搅拌至完全溶解后，加入稳定剂继续搅拌至完全溶解形成稳定的CAZTSSe前驱体溶液；2)将柔性衬底依次进行清洗、烘干；3)将前驱体溶液反复旋涂到柔性衬底上，经退火处理后在柔性衬底上制备CAZTSSe预制层，退火温度为200~500℃；4)将经步骤3）处理后的样品置于RTP硒化炉中进行后硒化处理，硒化温度范围为400~600℃，保持硒化温度处理8~30min，升温速率为6℃/s~10℃/s，在整个硒化处理过程中持续通保护气体，制得CAZTSSe薄膜；所述CAZTSSe薄膜中Ag/（Cu+Ag）的摩尔百分比为3%、4%、5%或6%；步骤1）中的有机溶剂是指乙二胺和乙二硫醇的混合液；步骤1）中的稳定剂是指乙醇胺、巯基乙酸和乙二醇甲醚的混合液。