[发明专利]一种发光二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201711144448.0 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107910412A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;宗远 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及制作方法，该制作方法包括提供一衬底；在衬底上形成外延层结构，外延层结构包括在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层，其中，第一方向垂直于衬底，且由衬底指向外延层结构；在电流扩展层背离第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层；采用设定的刻蚀液对氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，形成预设要求的多个圆孔，其中，圆孔的深度小于氧化铟锡透明薄膜层的厚度；在氧化铟锡透明薄膜层的表面的未刻蚀区域形成P电极；在衬底背离所述外延层的一侧形成N电极。该发光二极管出光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层；采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，形成预设要求的多个圆孔，其中，所述圆孔的深度小于所述氧化铟锡透明薄膜层的厚度；在所述氧化铟锡透明薄膜层的表面的未刻蚀区域形成P电极；在所述衬底背离所述外延层的一侧形成N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711144448.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
