[发明专利]一种光敏电阻器的光敏材料及光敏电阻器的制备方法在审
| 申请号： | 201711149321.8 | 申请日： | 2017-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107910391A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 江明泓 | 申请（专利权）人： | 四川启兴电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人： | 赵宇,刘东 |
| 地址： | 611130 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光敏电阻器的光敏材料及光敏电阻器的制备方法，一种光敏电阻器的光敏材料，其特征在于，按重量份数计，所述光敏材料包括以下组分硫化镉20‑50份，硒化镉30‑50份，氯化镉0.1‑1份，氯化钐0.1‑0.3份，硫化锌1‑10份，硫酸铜溶液1‑3份，离子水10‑100份。本申请能够显著提高光敏电阻器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光敏 电阻器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光敏电阻器的光敏材料，其特征在于，按重量份数计，所述光敏材料包括以下组分：硫化镉20‑50份，硒化镉30‑50份，氯化镉0.1‑1份，氯化钐0.1‑0.3份，硫化锌1‑10份，硫酸铜溶液1‑3份，离子水10‑100份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
