[发明专利]一种印章及其制备方法与量子点转印方法有效
| 申请号： | 201711158219.4 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109808319B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B41K1/02 | 分类号： | B41K1/02;H01L51/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种印章及其制备方法与量子点转印方法，方法包括步骤：提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起；将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体；制备具有凹形坑的印章底部；将所述变形态的形状记忆聚合物嵌入体嵌入所述印章底部的凹形坑中；在含形状记忆聚合物嵌入体的印章底部上端制备印章基底，得到印章。本发明将形状记忆聚合物嵌入印章底部中，利用低表面能的印章底部作为印章表面，制备印章。本发明能有效提高第二步转印过程的转印效率，提高图案完整性。所制备的印章可以重复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 印章 及其 制备 方法 量子 点转印 | ||
【主权项】：
1.一种印章的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起；将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体；制备具有凹形坑的印章底部；将所述变形态的形状记忆聚合物嵌入体嵌入所述印章底部的凹形坑中；在含形状记忆聚合物嵌入体的印章底部上端制备印章基底，得到印章。
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