[发明专利]磁传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201711159549.5 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108414954A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 太田尚城;高杉圭祐 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有能够实现较大磁通密度并且可以精确地形成的磁轭的磁传感器。磁传感器包括检测第一方向(X)上的磁场的磁场检测元件(21)和位于磁场检测元件(21)附近并在正交于第一方向(X)的第二方向(Z)上延伸的第一磁轭(23)。第一磁轭(23)包括定位为至少在第一方向(X)上远离磁场检测元件(21)的第一部分(23a)和定位为在第二方向(Z)上比第一部分(23a)更远离磁场检测元件(21)的第二部分(23b)。第二部分(23b)具有和其与第一部分(23a)的界面(23d)相反的表面(23f)，表面(23f)具有在远离第一部分(23a)的方向上突出的弯曲形状。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场检测元件 磁传感器 磁轭 弯曲形状 磁通 正交 磁场 检测 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其中，包括：磁场检测元件，检测第一方向上的磁场；和第一磁轭，位于所述磁场检测元件附近并且在正交于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述第一磁轭包括：定位为至少在所述第一方向上远离所述磁场检测元件的第一部分，和定位为在所述第二方向上比所述第一部分更远离所述磁场检测元件的第二部分，并且所述第二部分具有和其与所述第一部分的界面相反的表面，所述表面具有在远离所述第一部分的方向上突出的弯曲形状。
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