[发明专利]用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺

摘要

本发明公开一种用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺，其步骤包含在基底的第一区域与第二区域上形成多个第一凸起图形，其中第一区域中的凸起图形的密度比第二区域中的高、在该基底与该些第一凸起图形上形成第一介电层，其中该第一介电层具有多个对应到下方该些第一凸起图形的第二凸起图形、在第一介电层上形成第二介电层、进行第一平坦化制作工艺移除部分的第二介电层，以露出该些第二凸起图形的顶面、进行一蚀刻制作工艺移除第一介电层的该些第二凸起图形、移除剩余的第二介电层、以及对第一介电层进行另一次平坦化制作工艺。

主权项

1.一种用来改善平坦化负载效应的半导体制作工艺，其特征包含：提供一基底，该基底具有第一区域与第二区域；在该基底的该第一区域与该第二区域上形成多个第一凸起图形，其中该第一区域中的该第一凸起图形的密度比该第二区域中的该第一凸起图形的图形密度高；在该基底与该些第一凸起图形上形成一第一介电层，其中该第一介电层具有多个对应到下方该些第一凸起图形的第二凸起图形；在该第一介电层上形成一第二介电层；进行一第一平坦化制作工艺移除部分的该第二介电层，以露出该些第二凸起图形的顶面；进行一蚀刻制作工艺移除该第一介电层的该些第二凸起图形；移除剩余的该第二介电层；以及对该第一介电层进行一第二平坦化制作工艺。