[发明专利]一种用于3DNAND闪存的台阶结构成形工艺

摘要

本发明提供了一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，所述工艺包括如下步骤在衬底堆叠结构沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤，形成第3至第N级台阶。本发明方法中一道光刻工艺条件下可形成更多台阶结构，有利于减少3D NAND制造中的光刻工艺步骤，降低工艺成本。

主权项

一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：提供一个衬底堆叠结构；沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括三部分，第一部分在第一掩膜层上方，第二部分在刻蚀掉第1级台阶后的剩余堆叠层上表面，第三部分为连接第一部分和第二部分而形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤，形成第3至第N级台阶。