[发明专利]影像传感器封装体有效
| 申请号： | 201711169370.8 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109473451B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郭武政;林国峰;吴宗霖;陈裕仁;谢锦全;林光鹏 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 影像传感器封装体包含介质层，其具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。影像传感器封装体也包含金属‑绝缘体‑金属结构设置于介质层的第一表面上，其中金属‑绝缘体‑金属结构包含第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，且第一绝缘层设置于第一金属层与第二金属层之间。影像传感器封装体还包含光学滤光片设置于介质层的第二表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 传感器 封装 | ||
【主权项】：
1.一种影像传感器封装体，包括：一介质层，具有一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面；一金属‑绝缘体‑金属结构，设置于该介质层的该第一表面上，其中该金属‑绝缘体‑金属结构包括一第一金属层、一第一绝缘层和一第二金属层，且该第一绝缘层设置于该第一金属层与该第二金属层之间；以及一光学滤光片，设置于该介质层的该第二表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
