[发明专利]一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板在审
| 申请号： | 201711175833.1 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108008582A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈仲仁;蔡在秉;李彦泽;伍池林;吴智坤;许俊安 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1339 | 分类号： | G02F1/1339;G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。本发明还公开了相应的制作方法及液晶显示面板。实施本发明实施例，可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，以提高液晶显示面板的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 制作方法 以及 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。
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