[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种半导体制造方法，用于三维存储器深孔结构中钨阻挡层工艺优化，将现有技术中Ti/TiN叠层结构的连接孔阻挡层工艺简化为仅TiN层的连接孔阻挡层工艺，这是基于工艺优化的考虑，减掉现有技术中的Ti的沉积工艺，通过工艺优化缩短芯片中互连线连接孔的工艺时间，同时，由于钨连接孔的填充得到改善，芯片的整体性能也得以提高。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：形成下层钨互连线；在所述下层钨互连线之上形成介质层；在所述介质层中形成连接孔；在所述连接孔中形成仅由TiN层形成的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述连接孔的侧壁；在所述连接孔中填充入钨连接孔材料，形成钨连接孔；在所述介质层上形成上层钨互连线。