[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备有效
| 申请号： | 201711185087.4 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946193B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;余德钦;周文斌;高永辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8242;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储结构制作方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构制作方法，包括：在衬底上确定核心器件区和外围电路区；在所述核心器件区形成三维存储器件；全面形成第一隔离层；对所述第一隔离层进行全面平坦化，使平坦化后的核心器件区的顶面与外围电路区的顶面持平；在所述外围电路区形成外围电路。本发明提供的三维存储结构制作方法，可以避免三维存储器件制程中的热处理过程对外围电路的不良影响，从而可以有效提高外围电路器件电性能及产品良率，同时可以避免三维存储器件的制造过程中引入的等离子体气体扩散进入外围电路，从而提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 结构 制作方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
一种三维存储结构制作方法，其特征在于，包括：在衬底上确定核心器件区和外围电路区；在所述核心器件区形成三维存储器件；全面形成第一隔离层；对所述第一隔离层进行全面平坦化，使平坦化后的核心器件区的顶面与外围电路区的顶面持平；在所述外围电路区形成外围电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
