[发明专利]半导体存储装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201711188676.8 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108305658A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李正焕;金道霓 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置可以包括存储单元阵列。该半导体存储装置可以包括通过字线联接至所述存储单元阵列的外围电路。该半导体存储装置可以包括过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储装置 过驱动 存储单元阵列 设置单元 字线 操作电压 设置参数 外围电路 联接 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串；地址解码器，所述地址解码器通过字线联接至所述存储单元阵列，并且被配置为对用于针对所述存储单元阵列的操作的地址进行解码；读写电路，所述读写电路被配置为对所述存储单元阵列执行读取操作或编程操作；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述地址解码器和所述读写电路对所述存储单元阵列执行所述读取操作或所述编程操作；以及过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述存储单元阵列的所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数，其中，所述控制逻辑基于所述过驱动设置参数利用施加至所述字线的所述操作电压来控制所述过驱动操作。
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