[发明专利]3DNAND闪存的台阶接触孔的构建方法在审
| 申请号： | 201711191661.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107833889A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;陈保友;盖晨光;周文华;宋宏光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种3D NAND闪存的台阶接触孔的构建方法，包括以下步骤提供包括第一台阶区域和第二台阶区域的衬底堆叠结构，第一台阶区域和第二台阶区域均设有金属台阶；刻蚀形成与第一台阶区域的金属台阶相连通的第一台阶接触孔；在第一台阶接触孔的侧壁和底壁沉积氮化硅；刻蚀除去位于第一台阶接触孔的底壁的氮化硅；刻蚀形成与第二台阶区域的金属台阶相连通的第二台阶接触孔。本发明在台阶接触孔的构建过程中，分两次先后在不同的台阶区域刻蚀形成台阶接触孔，并且在两次刻蚀之间，在先形成的台阶接触孔的内壁沉积保护膜层作为防护，防止其被后续刻蚀伤害，使刻蚀工艺完善，并降低了后续刻蚀的难度。 | ||
| 搜索关键词： | dnand 闪存 台阶 接触 构建 方法 | ||
【主权项】：
3D NAND闪存的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包括第一台阶区域和第二台阶区域的衬底堆叠结构，第一台阶区域和第二台阶区域均设有金属台阶；刻蚀形成与第一台阶区域的金属台阶相连通的第一台阶接触孔；在第一台阶接触孔的侧壁和底壁沉积氮化硅，形成氮化硅保护层；刻蚀除去位于第一台阶接触孔的底壁的氮化硅保护层；刻蚀形成与第二台阶区域的金属台阶相连通的第二台阶接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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