[发明专利]一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法在审
| 申请号： | 201711194500.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107946184A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高晶;梁双;毛晓明;叶伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法，其包括以下步骤在具有对准标记的前层的表面沉积有至少一层高吸收和/或高反射层；沉积光刻层；对准对准标记实施光刻以形成光刻沟道沿光刻沟道实施刻蚀以形成对准窗口；其中，所述光刻使用的光罩的关键尺寸(CD)与对准标记的关键尺寸(CD)的比值大于1.5。本发明通过设计限定了对准标记与光刻用光罩关键尺寸的比例，提高了对准标记的可检测性，从而能够用于提高在具有该对准标记的前层和光刻层之间包含多晶硅(Poly)层的光刻对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光刻 图形 工艺 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法，其特征在于包括以下步骤：在具有对准标记的前层的表面沉积有至少一层高吸收和/或高反射层；沉积光刻层；对准对准标记实施光刻以形成光刻沟道：沿光刻沟道实施刻蚀以形成对准窗口；其中，所述光刻使用的光罩的关键尺寸(CD)与对准标记的关键尺寸(CD)的比值大于1.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
