[发明专利]TFT阵列基板及TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种TFT阵列基板及一种TFT阵列基板的制作方法，包括：基板、遮光层、绝缘层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属、隔离层以及金属数据线；其中所述栅极金属包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属；所述金属数据线分别与第一过孔和第二过孔相连，所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连；所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连。本发明提供了一种TFT阵列基板及一种TFT阵列基板的制作方法，通过在栅极绝缘层上增设一栅极金属，使得金属数据线与所述栅极金属通过栅极金属上方两侧的过孔相连，从而避免由于金属数据线成膜时发生断线导致TFT阵列基板发生垂直断线的问题，进而大幅度提高了TFT阵列基板的生产良率。

主权项

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：基板；遮光层，设置于所述基板的表面；绝缘层，覆盖于所述基板和所述遮光层的表面多晶硅层，设置于所述绝缘层的上方；栅极绝缘层，覆盖于所述多晶硅层和所述基板的表面；栅极金属，设置于所述栅极绝缘层的表面，包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属；隔离层，设置于所述栅极绝缘层和所述栅极金属的上方；金属数据线，设置于所述隔离层表面，所述金属数据线分别与第一过孔和第二过孔相连；其中，所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连；所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连。