[发明专利]单端转差分电路及其构成的缓冲器电路和采样保持电路有效
申请号: | 201711201528.5 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107888184B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 张宁;邱雯婷 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种单端转差分电路包括:第一MOS和第二MOS第一端连接电源电压;第三MOS第一端连接第一MOS第二端和第一MOS第三端;第四MOS第一端和第二MOS第二端相连作为该单端转差分电路第一连接端;第五MOS第一端和第四MOS第二端连接地;第三MOS第二端连接第三MOS第三端、第四MOS第三端和第五MOS第二端;第二MOS第三端作为该该单端转差分电路第二连接端,第五MOS第三端作为该单端转差分电路第三连接端。本发明还提供了一种具有所述单端转差分电路的缓冲器和一种采样保持电路。本发明的单端转差分电路可以使用差分输入以便第二级电路放大信号。本发明的缓冲器电路相比现有的缓冲器电路,能提供更高增益,提高参考电压的稳定性,提升电路的静态和动态性能。 | ||
搜索关键词: | 单端转差分 电路 及其 构成 缓冲器 采样 保持 | ||
【主权项】:
一种单端转差分电路,其特征在于,包括:第一MOS~第五MOS;第一MOS和第二MOS第一端连接电源电压;第三MOS第一端连接第一MOS第二端和第一MOS第三端;第四MOS第一端和第二MOS第二端相连作为该单端转差分电路第一连接端;第五MOS第一端和第四MOS第二端连接地;第三MOS第二端连接第三MOS第三端、第四MOS第三端和第五MOS第二端;第二MOS第三端作为该该单端转差分电路第二连接端,第五MOS第三端作为该单端转差分电路第三连接端。
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