[发明专利]一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺在审
| 申请号： | 201711202581.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107993921A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 孙强;柏友荣;沈思情;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 201604 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台、喷淋槽和喷头，其中，所述喷淋台上开设有多个所述喷淋槽，所述喷淋槽用于放置抛盘，所述抛盘的直径为D；多组所述喷头一一对应设置于多个所述喷淋槽的正上方，所述喷头出水时的圆心角为α；所述喷头的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头中相邻喷头之间的间距L2小于等于0.25D。本发明按照此公式设计，能够保证喷头喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘以保证喷淋效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片 抛光 养护 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台(1)、喷淋槽(2)和喷头(4)，其中，所述喷淋台(1)上开设有多个所述喷淋槽(2)，所述喷淋槽(2)用于放置抛盘(3)，所述抛盘(3)的直径为D；多组所述喷头(4)一一对应设置于多个所述喷淋槽(2)的正上方，所述喷头(4)出水时的圆心角为α；其特征在于，所述喷头(4)的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头(4)中相邻喷头(4)之间的间距L2小于等于0.25D。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超硅半导体有限公司，未经上海超硅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711202581.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
