[发明专利]ZQ校准方法和执行该方法的存储器器件有效
| 申请号： | 201711202968.2 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108133724B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 田周鄠;崔训对 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 被配置为执行ZQ校准方法的存储器器件可以包括共享连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯。第一裸芯可以被配置为响应于从存储器器件外部施加的ZQ校准命令，使用电阻器执行第一校准操作。第一裸芯可以被配置为在第一校准操作结束之后生成ZQ标志信号以及执行第二校准操作。第二裸芯可以被配置为响应于ZQ标志信号执行第一校准操作并在第二裸芯的第一校准操作结束之后执行第二校准操作。 | ||
| 搜索关键词： | zq 校准 方法 执行 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种由存储器器件执行的ZQ校准方法，所述存储器器件包括共享一被连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯，所述ZQ校准方法包括：响应于从所述存储器器件外部施加的ZQ校准命令，使用所述电阻器对所述第一裸芯执行第一校准操作；在所述第一校准操作结束之后，从所述第一裸芯生成ZQ标志信号并执行所述第一裸芯的第二校准操作；响应于所述ZQ标志信号，使用所述电阻器执行所述第二裸芯的第一校准操作；以及在所述第二裸芯的第一校准操作结束之后，执行所述第二裸芯的第二校准操作。
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