[发明专利]高压半导体元件有效
| 申请号： | 201711203046.3 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560119B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;孙乳笋 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压半导体元件，包括基底、具有第二导电型的第一井区、具有第一导电型的第二井区、第一掺杂区、第二掺杂区、栅极结构以及多个隔离结构。第一井区位于基底上。第二井区位于第一井区旁的基底上。第一掺杂区位于第一井区中。第二掺杂区位于第二井区中。栅极结构位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的基底上。隔离结构位于第一井区中。隔离结构交错排列成一阵列。各隔离结构包括介电柱与介电柱下方的顶掺杂区。第一井区的底面低于隔离结构的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体元件，其特征在于，所述的高压半导体元件包括：具有第一导电型的基底；具有第二导电型的第一井区，位于所述基底上；具有所述第一导电型的第二井区，位于所述第一井区旁的所述基底上；具有所述第二导电型的第一掺杂区，位于所述第一井区中；具有所述第二导电型的第二掺杂区，位于所述第二井区中；栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述基底上；以及多个隔离结构，位于所述第一井区中，所述隔离结构交错排列成一阵列，各所述隔离结构包括介电柱与所述介电柱下方的具有所述第一导电型的顶掺杂区，其中所述第一井区的底面低于所述隔离结构的底面。
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