[发明专利]一种顶栅TFT基板、显示器件及TFT基板的制备方法有效
| 申请号： | 201711205308.X | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107833894B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 程磊磊;陈晓春;胡迎宾;刘军;方金钢;张扬;李广耀;王东方;李伟;苏同上;赵策;丁远奎;成军 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种顶栅TFT基板、显示器件及该顶栅TFT基板的制备方法，其中，本发明实施例中的顶栅结构TFT基板至少包括：基板；布置在所述基板上的薄膜晶体管；以及布置在所述基板与所述薄膜晶体管之间的光功能层，所述光功能层包括齐平相接的绝缘型透光层和导电型遮光层，所述薄膜晶体管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光层的区域内，且所述透光层的材料为遮光层的材料的氧化物。本发明实施例中的顶栅结构TFT基板通过改进制备工艺有效消除了遮光层与透光层间的高段差，提升顶栅TFT基板中电容介电层的特性，进而提高显示器件的寿命和显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 基板 显示 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅结构TFT基板，其特征在于，包括：基板；布置在所述基板上的薄膜晶体管；以及布置在所述基板与所述薄膜晶体管之间的光功能层，所述光功能层包括齐平相接的绝缘型透光层和导电型遮光层，所述薄膜晶体管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光层的区域内，且所述透光层的材料为遮光层的材料的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
