[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201711210913.6 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108336036B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 安田贵弘 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周爽;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,其提高半导体装置的可靠性。提供一种半导体装置,其具备:具有第一焊盘的半导体元件;具有第二焊盘的框架部件;含有铜及银中的至少一者并且连接第一焊盘及第二焊盘的连接部件;和由不含硫的树脂组合物形成并且包封半导体元件、框架部件及连接部件的包封部,第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上。第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度可以大于第一焊盘的算术平均粗糙度。树脂组合物的硫的含有量可以少于NH |
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搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体元件,其具有第一焊盘;框架部件,其具有第二焊盘;连接部件,其含有铜及银中的至少一者,并连接所述第一焊盘及所述第二焊盘;和包封部,其由不含硫的树脂组合物形成,并包封所述半导体元件、所述框架部件及所述连接部件,所述第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上。
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