[发明专利]一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质有效
| 申请号： | 201711215478.6 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107863128B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 韩国军;刘文杰;何瑞泉;方毅 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质，包括：利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，再计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，并计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值，利用各阈值电压窗间参考电压的偏移值调整纠错码译码器中各阈值电压窗间的参考电压；本申请综合考虑单元间干扰和持久性干扰对闪存的影响，利用闪存经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布均值和标准差，计算出根据擦除、编程和时间变化动态调整的参考电压，使闪存的LDPC纠错码能够很好地保证闪存的可靠性，保证纠错码的纠错性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 闪存 单元 纠错 方法 系统 装置 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种多级闪存单元纠错方法，其特征在于，包括：利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值；利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差；利用各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值，利用各阈值电压窗间参考电压的偏移值调整纠错码译码器中各阈值电压窗间的参考电压，以利用纠错码对闪存纠错。
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