[发明专利]硅片烧结工艺有效

专利信息
申请号: 201711215682.8 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN107966026B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 陈五奎;刘强;耿荣军 申请(专利权)人: 乐山新天源太阳能科技有限公司
主分类号: F27B17/00 分类号: F27B17/00;H01L31/18
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 李玉兴
地址: 614000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种能够使得硅片短暂悬空烘干,提高烧结质量的硅片烧结工艺。该硅片烧结工艺采用硅片可悬空烘干的烧结炉,包括步骤:1)首先硅片通过输送装置运送至烘干炉区;通过烘干炉区对硅片进行烘干、预热;并且使得烘干炉区内的烘干温度为320℃至380℃;2)在烧结炉区对硅片进行烧结,控制烧结炉区内的风压为450至550Pa,烧结温度为600℃至850℃;3)在冷却炉区对硅片进行冷却,将硅片冷却至室温。采用该硅片烧结工艺,能够提高烧结效率,提高烧结质量。
搜索关键词: 硅片 烧结 工艺
【主权项】:
硅片烧结工艺,其特征在于,采用硅片可悬空烘干的烧结炉;所述硅片可悬空烘干的烧结炉,包括烘干炉区(1)、烧结炉区(2)、冷却炉区(3)以及输送装置(4),所述输送装置(4)依次贯穿烘干炉区(1)、烧结炉区(2)、冷却炉区(3);其特征在于:位于烘干炉区(1)内的输送装置(4)上设置有喷气装置(43);所述输送装置(4)包括前后两个驱动辊(41)以及支撑座;所述驱动辊(41)通过支撑座(48)支撑,所述驱动辊(41)上缠绕有传送带(42),所述传送带(42)为传送网;所述支撑座(48)上设置有驱动驱动辊(41)转动的驱动装置(5);所述传送带(42)两侧设置有限位挡板(44),所述喷气装置(43)位于传送带(42)上表面的下方;所述喷气装置(43)包括储气筒(431)、凸轮驱动装置,所述储气筒(431)具有储气腔(432),所述储气腔(432)一端的上方设置有出气板(437),所述出气板(437)上设置有出气孔;另一端设置有活塞(433);所述活塞(33)一端设置有延伸出储气筒(431)的顶杆(435),另一端与储气腔(432)的侧壁之间设置有弹簧(434);所述出气板(437)位于传送带(42)上表面的正下方;所述顶杆(435)的一端设置有凸轮(436),所述凸轮(436)、顶杆(435)以及活塞(433)构成凸轮机构;所述凸轮(436)通过凸轮驱动装置驱动转动;所述烘干炉区(1)包括炉体(11),所述炉体(11)具有烘干炉腔,所述烘干炉腔顶部设置有连通烘干炉腔的抽气装置(15);所述炉体(11)的侧壁上设置有连通烘干炉腔的入气管(12),所述入气管(12)在炉体(11)的侧面上沿长度方向均匀分布;所述入气管(12)在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置(4)上表面的上方,另一部分位于输送装置(4)上表面的下方;所述炉体(11)顶部设置有空气加热鼓风装置(13),所述空气加热鼓风装置(13)具有的出风口通过连通管道(17)与入气管(12)连通,所述空气加热鼓风装置(13)具有的进风口设置有空气过滤装置(14);还包括以下步骤:1)首先硅片通过输送装置(4)运送至烘干炉区(1);通过烘干炉区(1)对硅片进行烘干、预热;并且使得烘干炉区(1)内的烘干温度为320℃至380℃;2)在烧结炉区(2)对硅片进行烧结,控制烧结炉区(2)内的风压为450至550Pa,烧结温度为600℃至850℃;3)在冷却炉区(3)对硅片进行冷却,将硅片冷却至室温。
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