[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201711218871.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107819058B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具高带隙超晶格结构的发光二极管，依次包括：N型导通层，超晶格层，发光层、P型电子阻挡层,P型导通层，其特征在于：所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间，其由周期结构堆叠而成，其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，依次包括： N型导通层、超晶格层、发光层、P型电子阻挡层和P型导通层，其特征在于：所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间，其由周期结构堆叠而成，其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3，且第三子层的能隙Eg3大于所述电子阻挡层的能隙Eg4。
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