[发明专利]一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法有效
| 申请号： | 201711219183.6 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108062010B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 何大权;胡青;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对目标图形进行模拟曝光以获得目标图形的边缘误差；步骤S2、根据边缘误差移动图形片段，并在移动后的目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动图形片段，判断移动的图形片段是否为间隔终端，并在为间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的图形片段，以形成最终的修正图形。其技术方案的有益效果在于，在修正过程中可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光学 临近 效应 修正 减少 栅极 波动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的所述图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的所述间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的所述图形片段，以形成最终的修正图形。
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