[发明专利]增强型GaNHEMT的制备方法在审
| 申请号： | 201711220165.X | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107887435A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张韵;杨秀霞;张连;程哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层；在所述p型帽层上制备掩膜层；图形化掩膜层，露出栅区部分的p型帽层，形成样品；在样品露出的p型帽层上外延p型层，形成p型栅，即选区二次外延p型栅；去除掩膜层；在p型帽层的两侧向下刻蚀，刻蚀深度到达沟道层内，在沟道层的两侧构成台面，形成台面隔离；在p型栅的两侧的p型帽层上制备源电极和漏电极，退火；在所述p型栅上制备栅电极，形成器件；在器件上制备钝化层，所述钝化层的厚度高于p型栅，并将源电极、漏电极和栅电极区域的钝化层开口，即暴露出源电极、漏电极和栅电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 ganhemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层；步骤2：在所述p型帽层上制备掩膜层；步骤3：图形化掩膜层，露出栅区部分的p型帽层，形成样品；步骤4：在样品露出的p型帽层上外延p型层，形成p型栅，即选区二次外延p型栅；步骤5：去除掩膜层；步骤6：在p型帽层的两侧向下刻蚀，刻蚀深度到达沟道层内，在沟道层的两侧构成台面，形成台面隔离；步骤7：在p型栅的两侧的p型帽层上制备源电极和漏电极，退火；步骤8：在所述p型栅上制备栅电极，形成器件；步骤9：在器件上制备钝化层，所述钝化层的厚度高于p型栅，并将源电极、漏电极和栅电极区域的钝化层开口，即暴露出源电极、漏电极和栅电极，完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711220165.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
